AcePL pisze:
> Być może. Ale kumulowanie się ładunków w układach pamięci albo choćby tak
> kosmicznie rzadkie wydarzenie jak kolizja neutrina z elektronem
> podrózującym ścieżka zdarza się niezależnie od jakości obudowy... ;)
Nie jestem specjalistą, ale wątpię, by problemy jednego
elektronu miały wpływ na całość funkcjonowania modułu
pamięci ;)
> Błędy te po prostu będą występować, bo są nie do uniknięcia. Podobnie jak
Ale z jakim *prawdopodobieństwem*? Jeden błąd na 10^5 godzin?
> sposób negocjować. Prawdopodobieństwo znikome nie oznacza że ryzyka nie
> ma...
Ale nie oznacza też, że należy się za wszelką cenę przed
nim zabezpieczać w warunkach, w których awaria jest mało
istotna -- czyli w warunkach domowych.
> Wracając jednak do wątku - w środowiskach non-OC pamięci ECC... Wróć:
> właściwie to pamięci registered, ale ECC też się czasami kwalifikują. Więc
> takie pamięci stanowczo zyskały na popularności, zwłaszcza kiedy się
> okazało że ten typ pozwala upakować znacznie więcej pamięci niż
> konwencjonalne właśnie dzięki jednemu dodatkowemu, małemu układowi na
> module RAM.
Wręcz przeciwnie. Moduły buforowane są *wolniejsze* od
zwykłych. Dlatego dziwi mnie to, co piszesz, bo entuzjaści
podkręcania zawsze unikali ECC-R, szukając po prostu pamięci
niebuforowanych o wysokich parametrach.
> wyrobić sobie zdanie. Osobiście uważam, że ECC szeroko się nie przyjmie,
> zwłaszcza z powodów opóźnień, które O.C.-rom się bardzo nie podobają.
No właśnie...
-- |""""""""""""""""""""""""""""""""""""""""""""""""""""""""""| | Radosław Sokół | http://www.grush.one.pl/ | | | Administrator, Politechnika Śląska | \................... Microsoft MVP ......................../Received on Thu Jun 21 08:50:06 2007
To archiwum zostało wygenerowane przez hypermail 2.1.8 : Thu 21 Jun 2007 - 08:51:12 MET DST