Rozumiem, że podwyższanie częstotliwości najbardziej wpływa na zwiększenie
temperatury kości pamięci, ale...
czy któryś z tych parametrów także: SDRAM CAS# Latency, Row Precharge Time,
RAS Pulse Width, RAS to CAS Delay, Bank Interleave ?!
Czy ustawianie korzystniejszych (niż podane w specyfikacji) parametrów:
SDRAM CAS# Latency, Row Precharge Time, RAS Pulse Width, RAS to CAS Delay
wymaga podwyższania napięcia?
Chcę spróbować obniżyc timingi na maximum, więc jeszcze podpytam: Czy
zmniejszając SDRAM CAS# Latency, Row Precharge Time, RAS Pulse Width, RAS to
CAS Delay w jakiś sposób zwiększa się zużycie pamięci albo ryzyko jej
awarii?
Received on Thu Feb 23 00:05:11 2006
To archiwum zostało wygenerowane przez hypermail 2.1.8 : Thu 23 Feb 2006 - 00:51:23 MET