[info] 64 gigabity w 30 nanometrach po raz pierwszy

64 gigabity w 30 nanometrach po raz pierwszy

Samsung przedstawił nowe pamięci flash o pojemności 64 Gb (gigabitów), które
są produkowane w procesie technologicznym 30 nanometrów. Są to pierwsze
pamięci o tak dużej pojemności w tym procesie. Dzięki temu już wkrótce będzie
można złożyć pamięć o pojemności 128 GB, która będzie się składać z 16
wspomnianych kości Samsunga. Pamięci te są oczywiście szybkimi MLC NAND Flash.

Mimo wszystko koreański potentat flaszowy nadal będzie produkował wolniejsze
SLC - ma się pojawić nowa kość o pojemności 32 Gb bazująca na technologii
SaDPT (Self-aligned double patterning technology). Dla zobrazowania rozwoju
pamięci flash w 2001 roku Samsung zaprezentował jako pierwszy kość o
pojemności 1 Gb, która została wyprodukowana w procesie 100 nm. Masowa
produkcja nowych kości ma się rozpocząć dopiero w 2009 roku.

http://www.cdrlab.pl/news_czytaj_5910.html

-- 
SANDER | ABIT IC7 + P4 2.40C @ 3.00 + Zalman CNPS 7000A-Cu +1024MB PC3200
Iiyama ProLite H511S-W2U    +    Gainward GF FX 5700 Ultra 128MB 500/1000
2 x Western Digital 120 GB + Asus CD-S520/A4 + LiteOn SOHR-5238S| HP 960c
Chieftec HPC-420-302 DF Active PFC | ScanMaker 4850+ | SBLive + 4Speakers