Re[2]: Błędy pamięci

Autor: Sówka <xxx_at_xxx.pl>
Data: Thu 05 Aug 2004 - 00:04:17 MET DST
Message-ID: <622094452.20040805000417@xxx.pl>
Content-Type: text/plain; charset=ISO-8859-2

Witaj Radosław,

W Twoim liście datowanym 4 sierpnia 2004 (23:54:34) można przeczytać:

> Sprawdź czy obie pamięci działają z zegarem 133 MHz na
> początek.

A jak to zrobić - sorry za lamerskie pytanie.
Bazując na programie Aida uzyskałem:

[ 256 MB PC2100 DDR SDRAM ]

    Właściwości modułu pamięci:
      Numer seryjny Brak
      Rozmiar modułu 256 MB (2 rows, 4 banks)
      Typ modułu Unbuffered
      Typ pamięci DDR SDRAM
      Szybkość pamięci PC2100 (133 MHz)
      Szerokość modułu 64 bit
      Napięcie modułu SSTL 2.5
      Metoda detekcji błędów Brak
      Szybkość odświeżania Normalna (15.625 us), Self-Refresh
      Najwyższe opóźnienie CAS 2.5 (7.5 ns @ 133 MHz)
      Następne najwyższe opóźnienie CAS 2.0 (10.0 ns @ 100 MHz)

    Własności modułu pamięci:
      Early RAS# Precharge Nie obsługiwane
      Auto-Precharge Nie obsługiwane
      Precharge All Nie obsługiwane
      Write1/Read Burst Nie obsługiwane
      Buffered Address/Control Inputs Nie obsługiwane
      Registered Address/Control Inputs Nie obsługiwane
      On-Card PLL (Clock) Nie obsługiwane
      Buffered DQMB Inputs Nie obsługiwane
      Registered DQMB Inputs Nie obsługiwane
      Differential Clock Input Obsługiwane
      Redundant Row Address Nie obsługiwane

  [ Nanya M2U25664DS88B3G-5T ]

    Właściwości modułu pamięci:
      Nazwa modułu Nanya M2U25664DS88B3G-5T
      Numer seryjny Brak
      Data produkcji Tydzień 8 / 2004
      Rozmiar modułu 256 MB (1 rows, 4 banks)
      Typ modułu Unbuffered
      Typ pamięci DDR SDRAM
      Szybkość pamięci PC3200 (200 MHz)
      Szerokość modułu 64 bit
      Napięcie modułu SSTL 2.5
      Metoda detekcji błędów Brak
      Szybkość odświeżania Zredukowana (7.8 us), Self-Refresh
      Najwyższe opóźnienie CAS 3.0 (5.0 ns @ 200 MHz)
      Następne najwyższe opóźnienie CAS 2.5 (6.0 ns @ 166 MHz)

    Własności modułu pamięci:
      Early RAS# Precharge Nie obsługiwane
      Auto-Precharge Nie obsługiwane
      Precharge All Nie obsługiwane
      Write1/Read Burst Nie obsługiwane
      Buffered Address/Control Inputs Nie obsługiwane
      Registered Address/Control Inputs Nie obsługiwane
      On-Card PLL (Clock) Nie obsługiwane
      Buffered DQMB Inputs Nie obsługiwane
      Registered DQMB Inputs Nie obsługiwane
      Differential Clock Input Obsługiwane
      Redundant Row Address Nie obsługiwane

    Producent modułu pamięci:
      Nazwa firmy Nanya Technology Corp.
      Informacje o produkcie http://www.nanya.com/e-htm/abc/abc-03.htm

Czy powyższy raport wskazuje, że jednak wszystko jest w porządku, czy
czy coś nie jest niekombatyilne.

-- 
Pozdrowienia,
 Sówka
Received on Thu Aug 5 00:05:23 2004

To archiwum zostało wygenerowane przez hypermail 2.1.8 : Thu 05 Aug 2004 - 00:51:03 MET DST